芯片工艺中的 7nm 和 5nm 这两个数值 ， 代表的是芯片晶体管导电沟道的长度 ， 业内称之为“晶体管的栅极宽度”。
栅极宽度是芯片电路中最窄的线条 ， 通常情况下 ， 栅极宽度的数值越小 ， 晶体管的尺寸就越小 ， 芯片单位面积所能容纳的晶体管就越多 ， 芯片的性能会随着晶体管数量的增多而变强 ， 功耗也会随着晶体管尺寸的缩小而变小。
所以从理论上来说 ， 同一单位面积下 ，5nm 栅极宽度的芯片比 7nm 栅极宽度的芯片性能更强 ， 功耗更低。
按照芯片制造工艺的技术角度来看 ，5nm 制程工艺已经很接近极限了 ， 但所谓的纳米级芯片制造工艺的数值 ， 并不能真正的代表栅极宽度的数值。
拿台积电的 7nm 工艺为例 ，N7、N7+、N7P 这些 ， 所对应的晶体管密度是存在差距的 ，N7 和 N7P 的密度为 96.5MTr， 而 N7+ 的密度为 113.9MTr， 同为 7nm 工艺 ，N7+ 工艺下的芯片性能就会更强一些。
芯片所说的 5nm 和 7nm 这些 ， 在当下只能算是一个名称 ， 各芯片代工商对于芯片工艺的衡量标准不同 ， 所以芯片的性能还是要以芯片的密度为参考标准更准确一些。
至于 5nm 芯片和 7nm 芯片的差别在哪里 ， 除了工艺的技术难度不同 ， 感知最强的差别就是性能了 ， 拿 5nm 工艺的苹果 A14 和 7nm 工艺的苹果 A13 为例 ，A14 有 118 亿个晶体管 ，A13 有 85 亿个晶体管 ，A14 相较于 A13，CPU 性能增幅大概 16%，GPU 性能增幅大概 8.3。
虽说 A14 相较于 A13 的整体性能提升不大 ， 但上文也说了 ，5nm 工艺现在已经很接近极限了 ，A14 芯片增加了 5G 基带的使用 ， 对于芯片体积和兼容度要求大大提高 ，CPU 和 GPU 能够提升到如此已经很难得了。
二个问题 ：CPU 已经很小了 ， 可以做大点吗 ？
智能手机是一种很精密的数码产品 ， 内部空间可以说得上是“寸土寸金”， 如果芯片的性能不再依靠工艺的突破而提升 ， 而是依靠增大体积来增加性能 ， 那手机内部可用的空间将会随之变小 ， 无法容下更多的元器件 ， 也就意味着手机的一些功能会随之丢失 ， 这是智能手机该有的发展趋势吗 ？ 显然不是。
CPU 作为芯片的重要组成部分 ， 理论上来说 ， 增大体积是可以增加晶体管数量的 ， 性能也会随着芯片体积的增大而变强 ， 试想一下 ， 芯片制程工艺停滞不前 ， 芯片性能全靠增大芯片体积来实现 ， 未来的智能手机会不会变成“大哥大”那样尺寸的数码产品呢 ？ 这显然不是拥有“便携属性”的智能手机该有的样子。
所以 ， 提升芯片的性能 ， 可以通过提升芯片的尺寸来达成 ， 但对于手机的发展、芯片的发展 ， 乃至科技的发展 ， 都是一个背道而驰的解决方案。
原文链接：https://blog.csdn.net/fuli911/article/details/116420871
